発光ダイオード（はっこうダイオード、Light Emitting Diode、LED）は、順方向に電圧を加えた際に発光する半導体素子のことである。発光原理はエレクトロルミネセンス （EL）効果を利用している。有機エレクトロルミネッセンス (Organic light-emitting diodes (OLEDs)、有機EL) も分類上、LEDに含まれる。
発光ダイオードは、半導体を用いたpn接合と呼ばれる構造で作られている。発光はこの中で電子の持つエネルギーを直接、光エネルギーに変換することで行われ、巨視的には熱や運動の介在を必要としない。電極から半導体に注入された電子と正孔は、異なったエネルギー帯（伝導帯と価電子帯）を流れ、PN接合部付近にて禁制帯を越えて再結合する。再結合時に、禁制帯幅（バンドギャップ）にほぼ相当するエネルギーが光として放出される。放出される光の波長は材料のバンドギャップによって決められ、基本的に単一色で自由度が低いが、青色または紫外線を発する発光ダイオードの表面に蛍光塗料を塗布することで、白色や電球色などといった様々な中間色の発光ダイオードも製造されている。
発光ダイオードの一般的なダイオードと同様に極性を持っており、カソード（陰極）に対しアノード（陽極）に正電圧を加えて使用する。電圧が低い間は電圧を上げても電流が増えず、発光もしない。ある電圧を超えると電圧上昇に対する電流の増え方が急になり、電流量に応じて光を発するようになる。この電圧を「順方向降下電圧（VF）」というが、一般的なシリコンダイオードと比較すると、発光ダイオードは順方向降下電圧が高い（発光色によって違うが、赤外では1.4V程度。赤色・橙色・黄色・緑色では2.1V程度。白色・青色では3.5V程度。紫外線LEDは最もVFが高く、4.5から6Vが必要）。
| 型番 | メーカ名 | 商品説明 |
|---|---|---|
| IRF7807D1 | International Rectifier | |
| IRF7807D2 | International Rectifier | |
| IRF7807VD1 | International Rectifier | |
| IRF7807VD2 | International Rectifier | |
| 1N6264 | Optoelectronics | |
| 71061 | Vishay Siliconix | |
| BAT54C-7 | Diodes Incorporated | |
| BAT54CDW | Diodes Incorporated | |
| BAT54CDW-7 | Diodes Incorporated | |
| BAT54CFILM | STMicroelectronics | |
| BAT54CSM | Seme | |
| BAT54C-T1 | Won-Top Electronics | |
| BAT54C-T3 | Won-Top Electronics | |
| BAT54CW-T1 | Won-Top Electronics | |
| BAT54CW-T3 | Won-Top Electronics | |
| BAT54RCLT1 | Zowie Technology Corporation | |
| TLP722 | Toshiba Semiconductor | |
| CD5356B | Compensated Deuices Incorporated | |
| CMZ5356B | Central Semiconductor Corp | |
| DS1104SG27 | Dynex Semiconductor | |
| TR1104SG27 | TRSYS | |
| DS1107SG37 | Dynex Semiconductor | |
| TR1107SG37 | TRSYS | |
| DS1109SG47 | Dynex Semiconductor | |
| DS1112SG57 | Dynex Semiconductor | |
| SG5768 | Microsemi Corporation | |
| SG5770 | Microsemi Corporation | |
| SG5772 | Microsemi Corporation | |
| SG5774 | Microsemi Corporation | |
| SG5774F | Microsemi Corporation | |
| BUPD1520 | Power Innovations Limited | |
| LMH6533 | National Semiconductor | |
| LMH6533SP | National Semiconductor | |
| LMH6533SPX | National Semiconductor | |
| CM521613 | Powerex Power Semiconductors | |
| DF25216 | Dynex Semiconductor | |
| DF45216 | Dynex Semiconductor | |
| CD471290 | Powerex Power Semiconductors | |
| CD471290A | Powerex Power Semiconductors | |
| IMN10 | Rohm | |
| IMP11 | Rohm | |
| 1SV232 | Toshiba Semiconductor | |
| HGT4E20N60A4DS | Fairchild Semiconductor | |
| HGTG20N60A4D | Fairchild Semiconductor | |
| HGTG20N60B3D | Fairchild Semiconductor | |
| HGTG20N60C3D | Fairchild Semiconductor | |
| MGW20N60D | Motorola, | |
| SKW20N60 | Infineon Technologies | |
| 1SV239 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS309 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS301 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SV228 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS226 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS181 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS193 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS184 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS300 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS352 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SV160 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SV285 | Toshiba Semiconductor | |
| MLL957B | Microsemi Corporation | |
| CMZ5953B | Central Semiconductor Corp | |
| BAS125-07 | Siemens Semiconductor Group | |
| BAS125-07W | Siemens Semiconductor Group | |
| BA892 | Philips Semiconductors | |
| BA892-02L | Infineon Technologies | |
| BA892-02V | Infineon Technologies | |
| BAS40-02L | Infineon Technologies | |
| BAS40-02V | Vishay Siliconix | |
| BAS40-02V-GS08 | Vishay Siliconix | |
| BAS40-02V-GS18 | Vishay Siliconix | |
| BAS40-06HT1 | Leshan Radio Company | |
| BAS40-06LT1 | Semiconductor | |
| BAS40-07W | Siemens Semiconductor Group | |
| BAS40BRW | Diodes Incorporated | |
| BAS40DW-04 | Diodes Incorporated | |
| BAS40DW-05 | Diodes Incorporated | |
| BAS40DW-06 | Diodes Incorporated | |
| BAS40L | Philips Semiconductors | |
| BAS40-T1 | Siemens Semiconductor Group |