トンネルダイオード（tunnel diode）または江崎ダイオード（Esaki diode）は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。
量子トンネル効果により、順方向電圧をかけるほどに流れる電流量が少なくなる「負性抵抗」が現れる電圧領域を利用するもの。1957年に江崎玲於奈が発明した。不純物濃度を調整し、ツェナー破壊電圧を順方向バイアス電圧の領域にしたもの。
| 型番 | メーカ名 | 商品説明 |
|---|---|---|
| 1N2927 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-1020-51 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-1020-820 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-1020-860 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-2030-51 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-2030-820 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-2030-860 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-3040-51 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-3040-820 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-3040-860 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-4050-51 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-4050-820 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-4050-860 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-5060-51 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-5060-820 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| ASTD-5060-860 | ASI[Advanced Semiconductor] | |
| 1N4394 | Solid States Devices, | |
| 1N4394A | Solid States Devices, | |
| 1N4395 | Solid States Devices, | |
| 1N4395A | Solid States Devices, | |
| 1N3717 | Optoelectronic Devices | |
| 1N3712 | Optoelectronic Devices |